Toshiba Semiconductor and Storage - TK12V60W,LVQ

KEY Part #: K6403148

[2458pcs Estoque]


    Número da peça:
    TK12V60W,LVQ
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK12V60W,LVQ Atributos do produto

    Número da peça : TK12V60W,LVQ
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
    Series : DTMOSIV
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 600µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 300V
    Recurso FET : Super Junction
    Dissipação de energia (máx.) : 104W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-DFN-EP (8x8)
    Pacote / caso : 4-VSFN Exposed Pad