STMicroelectronics - STFI15N60M2-EP

KEY Part #: K6400613

STFI15N60M2-EP Preços (USD) [37557pcs Estoque]

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  • 500 pcs$0.58834
  • 1,000 pcs$0.48748

Número da peça:
STFI15N60M2-EP
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STFI15N60M2-EP Atributos do produto

Número da peça : STFI15N60M2-EP
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
Series : MDmesh™ M2
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 378 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 25W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAKFP (TO-281)
Pacote / caso : TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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