Infineon Technologies - AUIRF7799L2TR

KEY Part #: K6417448

AUIRF7799L2TR Preços (USD) [31562pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.30580
  • 4,000 pcs$1.19794

Número da peça:
AUIRF7799L2TR
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF7799L2TR Atributos do produto

Número da peça : AUIRF7799L2TR
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 375A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6714pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET L8
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric L8

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