IRF1310NSTRLPBF Preços (USD) [87195pcs Estoque]
- 1 pcs$0.44843
- 800 pcs$0.38803
- Número da peça:
- IRF1310NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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IRF1310NSTRLPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF1310NSTRLPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
42A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.8W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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