FQD3N60CTM-WS Preços (USD) [193834pcs Estoque]
- 1 pcs$0.19082
- Número da peça:
- FQD3N60CTM-WS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQD3N60CTM-WS electronic components. FQD3N60CTM-WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD3N60CTM-WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD3N60CTM-WS Atributos do produto
Número da peça :
FQD3N60CTM-WS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
565pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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