Infineon Technologies - IPA60R125C6XKSA1

KEY Part #: K6416550

IPA60R125C6XKSA1 Preços (USD) [15560pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.64861

Número da peça:
IPA60R125C6XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA60R125C6XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPA60R125C6XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 960µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2127pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 34W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-FP
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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