Nexperia USA Inc. - PMV50UPE,215

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PMV50UPE,215 Preços (USD) [531521pcs Estoque]

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Número da peça:
PMV50UPE,215
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV50UPE,215 Atributos do produto

Número da peça : PMV50UPE,215
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 24pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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