Diodes Incorporated - DMG7401SFGQ-7

KEY Part #: K6401717

DMG7401SFGQ-7 Preços (USD) [2953pcs Estoque]

  • 2,000 pcs$0.09462

Número da peça:
DMG7401SFGQ-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG7401SFGQ-7 Atributos do produto

Número da peça : DMG7401SFGQ-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2987pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 940mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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