[8872pcs Estoque]
- Número da peça:
- BUK7E1R6-30E,127
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. BUK7E1R6-30E,127 electronic components. BUK7E1R6-30E,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7E1R6-30E,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BUK7E1R6-30E,127 Atributos do produto
Número da peça :
BUK7E1R6-30E,127
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
154nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
11960pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
349W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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