[8606pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXKP10N60C5M
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXKP10N60C5M electronic components. IXKP10N60C5M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKP10N60C5M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXKP10N60C5M Atributos do produto
Número da peça :
IXKP10N60C5M
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
385 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 340µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220ABFP
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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