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  5. EPC8009

EPC - EPC8009

KEY Part #: K6403216

EPC8009 Preços (USD) [37110pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.10653
  • 2,500 pcs$1.10102
Número da peça:
EPC8009
Fabricante:
EPC
Descrição detalhada:
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
We specialize in EPC EPC8009 electronic components. EPC8009 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC8009, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC8009 Atributos do produto

Número da peça : EPC8009
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 65V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.45nC @ 5V
Vgs (máx.) : +6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 52pF @ 32.5V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Pacote / caso : Die
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