EPC2016C Preços (USD) [89066pcs Estoque]
- 1 pcs$0.46799
- 2,500 pcs$0.46566
- Número da peça:
- EPC2016C
- Fabricante:
- EPC
- Descrição detalhada:
- GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in EPC EPC2016C electronic components. EPC2016C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2016C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EPC2016C Atributos do produto
Número da peça :
EPC2016C
Fabricante :
EPC
Descrição :
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 5V
Vgs (máx.) :
+6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
420pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Pacote / caso :
Die
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