ON Semiconductor - FCPF400N80Z

KEY Part #: K6397435

FCPF400N80Z Preços (USD) [26417pcs Estoque]

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  • 100 pcs$1.03221
  • 500 pcs$0.80283
  • 1,000 pcs$0.66520

Número da peça:
FCPF400N80Z
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 11A ZNR.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF400N80Z Atributos do produto

Número da peça : FCPF400N80Z
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
Series : SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2350pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 35.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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