Vishay Siliconix - SIR638ADP-T1-RE3

KEY Part #: K6419281

SIR638ADP-T1-RE3 Preços (USD) [101643pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.38469

Número da peça:
SIR638ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR638ADP-T1-RE3 Atributos do produto

Número da peça : SIR638ADP-T1-RE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO
Series : TrenchFET® Gen IV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.88 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Vgs (máx.) : +20V, -16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9100pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 104W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8

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