STMicroelectronics - STW11NK100Z

KEY Part #: K6414401

STW11NK100Z Preços (USD) [12970pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.99235
  • 10 pcs$2.67240
  • 100 pcs$2.19129
  • 500 pcs$1.77441
  • 1,000 pcs$1.49648

Número da peça:
STW11NK100Z
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW11NK100Z Atributos do produto

Número da peça : STW11NK100Z
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
Series : SuperMESH™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.38 Ohm @ 4.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 162nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 230W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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