[3521pcs Estoque]
- Número da peça:
- BUK653R2-55C,127
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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BUK653R2-55C,127 Atributos do produto
Número da peça :
BUK653R2-55C,127
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
258nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
15300pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
306W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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