Central Semiconductor Corp - CXDM6053N TR

KEY Part #: K6399717

CXDM6053N TR Preços (USD) [222668pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.18363
  • 1,000 pcs$0.18272

Número da peça:
CXDM6053N TR
Fabricante:
Central Semiconductor Corp
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CXDM6053N TR Atributos do produto

Número da peça : CXDM6053N TR
Fabricante : Central Semiconductor Corp
Descrição : MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 5V
Vgs (máx.) : 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-89
Pacote / caso : TO-243AA
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