Vishay Siliconix - IRFD224

KEY Part #: K6392865

IRFD224 Preços (USD) [90300pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.43517
  • 500 pcs$0.43301

Número da peça:
IRFD224
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
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Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD224 Atributos do produto

Número da peça : IRFD224
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 630mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 380mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacote / caso : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

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