Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8A01(TE85L)

KEY Part #: K6411201

[13873pcs Estoque]


    Número da peça:
    TPCF8A01(TE85L)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 20V 3A VS-8.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Propósito Específico ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPCF8A01(TE85L) Atributos do produto

    Número da peça : TPCF8A01(TE85L)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
    Series : U-MOSIII
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 5V
    Vgs (máx.) : ±12V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 10V
    Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
    Dissipação de energia (máx.) : 330mW (Ta)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : VS-8 (2.9x1.5)
    Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead

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