Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K35AFS,LF

KEY Part #: K6421703

SSM3K35AFS,LF Preços (USD) [2258971pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.01710
  • 3,000 pcs$0.01701

Número da peça:
SSM3K35AFS,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K35AFS,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM3K35AFS,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
Series : U-MOSIII
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 250mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.34nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 36pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SSM
Pacote / caso : SC-75, SOT-416

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