ZXMN6A11GTA Preços (USD) [266563pcs Estoque]
- 1 pcs$0.13876
- 1,000 pcs$0.12460
- Número da peça:
- ZXMN6A11GTA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A11GTA electronic components. ZXMN6A11GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A11GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN6A11GTA Atributos do produto
Número da peça :
ZXMN6A11GTA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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