[3236pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXFM67N10
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- POWER MOSFET TO-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFM67N10 electronic components. IXFM67N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFM67N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFM67N10 Atributos do produto
Número da peça :
IXFM67N10
Fabricante :
IXYS
Descrição :
POWER MOSFET TO-3
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
67A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-204AE
Pacote / caso :
TO-204AE
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