[3229pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXTY1R4N60P TRL
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTY1R4N60P TRL electronic components. IXTY1R4N60P TRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1R4N60P TRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTY1R4N60P TRL Atributos do produto
Número da peça :
IXTY1R4N60P TRL
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Series :
Polar™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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