Vishay Siliconix - SIRA62DP-T1-RE3

KEY Part #: K6396115

SIRA62DP-T1-RE3 Preços (USD) [140802pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.26269

Número da peça:
SIRA62DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHAN 30V.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA62DP-T1-RE3 Atributos do produto

Número da peça : SIRA62DP-T1-RE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CHAN 30V
Series : TrenchFET® Gen IV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 51.4A (Ta), 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (máx.) : +16V, -12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4460pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8

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