TK31N60X,S1F Preços (USD) [17128pcs Estoque]
- 1 pcs$2.64861
- 30 pcs$2.12696
- 120 pcs$1.93787
- 510 pcs$1.56920
- 1,020 pcs$1.32342
- Número da peça:
- TK31N60X,S1F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X,S1F electronic components. TK31N60X,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31N60X,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK31N60X,S1F Atributos do produto
Número da peça :
TK31N60X,S1F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Series :
DTMOSIV-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
230W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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