ON Semiconductor - NTR3A30PZT1G

KEY Part #: K6416257

NTR3A30PZT1G Preços (USD) [383676pcs Estoque]

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Número da peça:
NTR3A30PZT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTR3A30PZT1G Atributos do produto

Número da peça : NTR3A30PZT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1651pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 480mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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