Rohm Semiconductor - R6025ANZC8

KEY Part #: K6397973

R6025ANZC8 Preços (USD) [16611pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.43619
  • 100 pcs$1.99752
  • 500 pcs$1.61748
  • 1,000 pcs$1.36414

Número da peça:
R6025ANZC8
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6025ANZC8 Atributos do produto

Número da peça : R6025ANZC8
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3250pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PF
Pacote / caso : TO-3P-3 Full Pack

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