ON Semiconductor - FDMC4435BZ

KEY Part #: K6396049

FDMC4435BZ Preços (USD) [289691pcs Estoque]

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Número da peça:
FDMC4435BZ
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC4435BZ Atributos do produto

Número da peça : FDMC4435BZ
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2045pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-MLP (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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