IXFN30N120P Preços (USD) [2124pcs Estoque]
- 1 pcs$21.51707
- 10 pcs$21.41002
- Número da peça:
- IXFN30N120P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN30N120P electronic components. IXFN30N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN30N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN30N120P Atributos do produto
Número da peça :
IXFN30N120P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Series :
Polar™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
310nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
19000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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