IXTY1N80P Preços (USD) [59377pcs Estoque]
- 1 pcs$0.72801
- 70 pcs$0.72439
- Número da peça:
- IXTY1N80P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 1A TO-252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTY1N80P electronic components. IXTY1N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTY1N80P Atributos do produto
Número da peça :
IXTY1N80P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
Series :
Polar™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
42W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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