IXTY1R4N100P Preços (USD) [49877pcs Estoque]
- 1 pcs$0.90605
- 70 pcs$0.90154
- Número da peça:
- IXTY1R4N100P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTY1R4N100P electronic components. IXTY1R4N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1R4N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTY1R4N100P Atributos do produto
Número da peça :
IXTY1R4N100P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
Series :
Polar™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
450pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
63W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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