Rohm Semiconductor - SCT3105KLGC11

KEY Part #: K6396079

SCT3105KLGC11 Preços (USD) [5259pcs Estoque]

  • 1 pcs$8.23747

Número da peça:
SCT3105KLGC11
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCT3105KLGC11 Atributos do produto

Número da peça : SCT3105KLGC11
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 137 mOhm @ 7.6A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 3.81mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 18V
Vgs (máx.) : +22V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 574pF @ 800V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 134W
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247N
Pacote / caso : TO-247-3

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