IXFH7N90Q Preços (USD) [12229pcs Estoque]
- 1 pcs$3.72526
- 30 pcs$3.70673
- Número da peça:
- IXFH7N90Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 7A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFH7N90Q electronic components. IXFH7N90Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH7N90Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH7N90Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFH7N90Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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