ON Semiconductor - FDMS86181

KEY Part #: K6397308

FDMS86181 Preços (USD) [64372pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.61044
  • 3,000 pcs$0.60741

Número da peça:
FDMS86181
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 44A POWER56.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86181 Atributos do produto

Número da peça : FDMS86181
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 44A POWER56
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 44A (Ta), 124A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4125pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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