Toshiba Semiconductor and Storage - TK25A60X,S5X

KEY Part #: K6397383

TK25A60X,S5X Preços (USD) [23205pcs Estoque]

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Número da peça:
TK25A60X,S5X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK25A60X,S5X Atributos do produto

Número da peça : TK25A60X,S5X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN
Series : DTMOSIV-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220SIS
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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