SI5415AEDU-T1-GE3 Preços (USD) [344842pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10726
- 3,000 pcs$0.10093
- Número da peça:
- SI5415AEDU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5415AEDU-T1-GE3 electronic components. SI5415AEDU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5415AEDU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5415AEDU-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI5415AEDU-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.6 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4300pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operação :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® ChipFet Single
Pacote / caso :
PowerPAK® ChipFET™ Single
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