IPS80R1K2P7AKMA1 Preços (USD) [76655pcs Estoque]
- 1 pcs$0.57698
- 10 pcs$0.51259
- 100 pcs$0.40510
- 500 pcs$0.29716
- 1,000 pcs$0.23460
- Número da peça:
- IPS80R1K2P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPS80R1K2P7AKMA1 electronic components. IPS80R1K2P7AKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS80R1K2P7AKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPS80R1K2P7AKMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPS80R1K2P7AKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 500V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
37W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251-3
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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