Microsemi Corporation - APT34N80LC3G

KEY Part #: K6395087

APT34N80LC3G Preços (USD) [9736pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.67945
  • 50 pcs$4.65617

Número da peça:
APT34N80LC3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT34N80LC3G Atributos do produto

Número da peça : APT34N80LC3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 355nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4510pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 417W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-264 [L]
Pacote / caso : TO-264-3, TO-264AA