CSD16570Q5BT Preços (USD) [56679pcs Estoque]
- 1 pcs$0.68986
- 250 pcs$0.63802
- 1,250 pcs$0.48291
- Número da peça:
- CSD16570Q5BT
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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CSD16570Q5BT Atributos do produto
Número da peça :
CSD16570Q5BT
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.59 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.9V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
14000pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-VSONP (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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