SI1422DH-T1-GE3 Preços (USD) [12106pcs Estoque]
- 3,000 pcs$0.06743
- Número da peça:
- SI1422DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
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SI1422DH-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI1422DH-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
725pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-70-6 (SOT-363)
Pacote / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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