Diodes Incorporated - DMN2028UFDF-7

KEY Part #: K6416222

DMN2028UFDF-7 Preços (USD) [644086pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05771
  • 3,000 pcs$0.05743

Número da peça:
DMN2028UFDF-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2028UFDF-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN2028UFDF-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 907pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 660mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : U-DFN2020-6 (Type F)
Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad

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