FCP099N60E Preços (USD) [37871pcs Estoque]
- 1 pcs$1.65378
- 800 pcs$1.64555
- Número da peça:
- FCP099N60E
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCP099N60E electronic components. FCP099N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP099N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCP099N60E Atributos do produto
Número da peça :
FCP099N60E
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V TO220
Series :
SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
37A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3465pF @ 380V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
357W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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