STMicroelectronics - STW11NM80

KEY Part #: K6416138

STW11NM80 Preços (USD) [12620pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.05405
  • 10 pcs$2.74865
  • 100 pcs$2.26000
  • 500 pcs$1.89351
  • 1,000 pcs$1.64919

Número da peça:
STW11NM80
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW11NM80 Atributos do produto

Número da peça : STW11NM80
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Series : MDmesh™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 43.6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1630pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operação : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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