IXTA1N100P Preços (USD) [59377pcs Estoque]
- 1 pcs$0.76105
- 50 pcs$0.75726
- Número da peça:
- IXTA1N100P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA1N100P electronic components. IXTA1N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA1N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA1N100P Atributos do produto
Número da peça :
IXTA1N100P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
Series :
Polar™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
331pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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