Vishay Siliconix - SIHG16N50C-E3

KEY Part #: K6398749

SIHG16N50C-E3 Preços (USD) [18408pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.23876
  • 500 pcs$1.32779

Número da peça:
SIHG16N50C-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG16N50C-E3 Atributos do produto

Número da peça : SIHG16N50C-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AC
Pacote / caso : TO-247-3

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