IXYS - IXFN20N120P

KEY Part #: K6395028

IXFN20N120P Preços (USD) [2732pcs Estoque]

  • 1 pcs$16.73239
  • 10 pcs$16.64915

Número da peça:
IXFN20N120P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN20N120P Atributos do produto

Número da peça : IXFN20N120P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Series : Polar™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 193nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 11100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 595W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC