TK10E60W,S1VX Preços (USD) [33399pcs Estoque]
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- 50 pcs$1.03480
- 100 pcs$0.94282
- 500 pcs$0.76345
- 1,000 pcs$0.64387
- Número da peça:
- TK10E60W,S1VX
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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TK10E60W,S1VX Atributos do produto
Número da peça :
TK10E60W,S1VX
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 300V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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