Nexperia USA Inc. - BUK9Y19-100E,115

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BUK9Y19-100E,115 Preços (USD) [188806pcs Estoque]

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  • 1,500 pcs$0.18109

Número da peça:
BUK9Y19-100E,115
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK9Y19-100E,115 Atributos do produto

Número da peça : BUK9Y19-100E,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5085pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 167W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso : SC-100, SOT-669

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