IRFR220PBF Preços (USD) [100560pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.29069
- 100 pcs$0.22437
- 500 pcs$0.16619
- 1,000 pcs$0.13295
- Número da peça:
- IRFR220PBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFR220PBF electronic components. IRFR220PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR220PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR220PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFR220PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
260pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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