Nexperia USA Inc. - PMN55ENEH

KEY Part #: K6416160

PMN55ENEH Preços (USD) [566109pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06534

Número da peça:
PMN55ENEH
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
PMN55ENE/SOT457/SC-74.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMN55ENEH Atributos do produto

Número da peça : PMN55ENEH
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : PMN55ENE/SOT457/SC-74
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 646pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP
Pacote / caso : SC-74, SOT-457

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