PMN55ENEH Preços (USD) [566109pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06534
- Número da peça:
- PMN55ENEH
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- PMN55ENE/SOT457/SC-74.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMN55ENEH electronic components. PMN55ENEH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN55ENEH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMN55ENEH Atributos do produto
Número da peça :
PMN55ENEH
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
PMN55ENE/SOT457/SC-74
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
646pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SC-74, SOT-457
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